肖07862021-01-28 13:24:43光刻機和刻蝕機的區別主要表現為3各個方面：
一、難易度：光刻機難度大，刻蝕機難度小。
二、原理：光刻機把圖案印上去，刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案/無圖的部分，留下剩餘的部分。
三、工藝操作不同（1）、光刻機：利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將掩膜版上的電路圖形傳遞到單晶的表面或介質層上，形成有效的圖形視窗或功能圖形。由於在晶圓的表面上，電路設計圖案直接由光刻技術決定，因此光刻工藝也是晶片製造中最核心的環節。（2）、刻蝕機：用化學和物理方法，在經顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除矽片上不需要的材料。刻蝕工藝的方法有兩大類，溼法蝕刻和幹法蝕刻。